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1N4150W-E3-08_二极管整流器
1N4150W-E3-08
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

二极管整流器

+10:

¥0.832238

+100:

¥0.554785

+300:

¥0.462341

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 200 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 2.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

自营 现货库存
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1N4150W-E3-08_未分类
1N4150W-E3-08
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DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

未分类

+10:

¥0.380449

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¥0.336745

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¥0.314895

+3000:

¥0.263541

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 200 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 2.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

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1N4150W-E3-08_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

二极管整流器

+1:

¥0.29645

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 200 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 2.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

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1N4150W-E3-08_二极管整流器
1N4150W-E3-08
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 200 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 2.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

自营 国内现货
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1N4150W-E3-08_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

二极管整流器

+3000:

¥0.265227

+6000:

¥0.246028

+9000:

¥0.204002

+30000:

¥0.200438

+75000:

¥0.18005

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 200 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 2.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

Digi-Key
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1N4150W-E3-08_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

二极管整流器

+3000:

¥0.648816

+6000:

¥0.60185

+9000:

¥0.499043

+30000:

¥0.490323

+75000:

¥0.440449

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 200 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 2.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

1N4150W-E3-08_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

二极管整流器

+1:

¥3.824659

+10:

¥2.646664

+100:

¥1.291205

+500:

¥1.077331

+1000:

¥0.748563

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

1N4150W-E3-08_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

二极管整流器

+1:

¥3.824659

+10:

¥2.646664

+100:

¥1.291205

+500:

¥1.077331

+1000:

¥0.748563

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

Mouser
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1N4150W-E3-08_未分类
1N4150W-E3-08
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

未分类

+1:

¥4.145723

+10:

¥2.835675

+100:

¥1.177387

+1000:

¥0.746232

+2500:

¥0.530653

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 200 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 2.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

艾睿
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1N4150W-E3-08_未分类
1N4150W-E3-08
授权代理品牌

Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns 2-Pin SOD-123 T/R

未分类

+15000:

¥0.379206

+30000:

¥0.37611

+75000:

¥0.371466

+150000:

¥0.352892

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

1N4150W-E3-08参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 50 V
不同 Vr、F 时电容: 2.5pF 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
工作温度 - 结: 150°C(最大)
温度: