品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SBR®

零件状态： 在售

二极管类型： 超级势垒

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 510 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： SOD-123F

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：