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	1N6484-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册	+1：￥0.166691 +10：￥0.162711 +30：￥0.160058 +100：￥0.157405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营国内现货

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	1N6484-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥0.828327 +3000：￥0.759324 +7500：￥0.716312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N6484-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥2.026308 +3000：￥1.857507 +7500：￥1.752288	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	1N6484-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.330009 +10：￥5.134341 +100：￥3.499793 +500：￥2.625408	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-213AB, MELF (Glass) 供应商器件封装： DO-213AB
	1N6484-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.330009 +10：￥5.134341 +100：￥3.499793 +500：￥2.625408	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-213AB, MELF (Glass) 供应商器件封装： DO-213AB

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N6484-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥7.187441 +10：￥5.602937 +100：￥3.36503 +500：￥3.120003 +1000：￥1.780526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

1N6484-E3/96参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SUPERECTIFIER®
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.1 V 1 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	8pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装:	DO-213AB
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: