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S1ZB20、S1ZB60、MB2S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S1ZB20 S1ZB60 MB2S

描述 S1ZB20 整流桥 200V 800mA/0.8A 1.05V 1Z 标记Z2S1ZB60 整流桥 600V 800mA/0.8A 1.05V 1Z 标记Z6Bridge Rectifier Diode, Blank, 0.5A, 200V V(RRM)

数据手册 ---

制造商 Shindengen (新电元) Shindengen (新电元) Diotec Semiconductor

分类

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 4

正向电压 1.05 V - -

最大反向电压(Vrrm) 200V 600V -

正向电流 0.8 A 0.8 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -50 ℃

负载电流 - - 0.5 A

反向恢复时间 - - 1500 ns

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 35 A

长度 4.7 mm 4.7 mm -

宽度 3.8 mm 3.8 mm -

高度 2.5 mm 2.5 mm -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

香港进出口证 - NLR -