MTW32N20E、STW30NF20、BUZ341对比区别
描述 TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075ΩN沟道200V - 0.065ヘ - 30A - TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFETSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Motorola (摩托罗拉) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-247-3 TO-218
极性 - N-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 15.0 A 33A
上升时间 - 15.7 ns 110 ns
输入电容(Ciss) - 1597pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
下降时间 - 8.8 ns 160 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc) 170000 mW
漏源极电阻 - 0.065 Ω -
耗散功率 - 125 W -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 - 200 V -
额定功率(Max) - 125 W -
封装 - TO-247-3 TO-218
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 - Tube -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -