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SMBJ40D-M3/I、SMBJ40D-M3/H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ40D-M3/I SMBJ40D-M3/H

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 40V 600W 2Pin SMB T/RESD 抑制器/TVS 二极管 40V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA-2 DO-214AA-2

击穿电压 48.4 V 48.4 V

耗散功率 1 W 1 W

钳位电压 63.6 V 63.6 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 45.1 V 45.1 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

工作电压 - 40 V

封装 DO-214AA-2 DO-214AA-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅