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1N4101-BP、JAN1N4101C-1、1N4101对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4101-BP JAN1N4101C-1 1N4101

描述 DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)Diode Zener 8.2V Do350.5W(1/2W) Silicon Zener Diodes

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Obsolete Active End of Life

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 8.2 V 8.2 V -

耗散功率 500 mW - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -