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BUK9608-55A、BUK9608-55A,118、BUK9608-55对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9608-55A BUK9608-55A,118 BUK9608-55

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETD2PAK N-CH 55V 125ATrenchMOS transistor Logic level FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3 -

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 125A 125A -

耗散功率 - 253 W -

上升时间 - 175 ns -

输入电容(Ciss) - 6021pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 253 W -

下降时间 - 167 ns -

耗散功率(Max) - 253W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -