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CY7C1911KV18-250BZC、CY7C1911KV18-250BZCT、CY7C1911KV18-250BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1911KV18-250BZC CY7C1911KV18-250BZCT CY7C1911KV18-250BZXC

描述 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 9Bit 0.45ns 165Pin FBGA T/R18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 9 9 -

存取时间 0.45 ns - -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

高度 - 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free