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IXFH94N30P3、IXFT94N30T、IXTK102N30P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH94N30P3 IXFT94N30T IXTK102N30P

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH94N30P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 VTO-268AA N-CH 300V 94AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTK102N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-264-3

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.036 Ω - 33 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 1.04 kW 890W (Tc) 700 W

阈值电压 5 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 300 V - -

连续漏极电流(Ids) 94A 94A 102 A

上升时间 19 ns 14 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 5510pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1040 W - -

下降时间 11 ns 12 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1040W (Tc) 890W (Tc) 700W (Tc)

反向恢复时间 - - 250 ns

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -