品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

配置： 半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 A

功率 - 最大值： 735 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3.9V 15V，100A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 4.3 nF 25 V

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： -

安装类型： 底座安装

封装/外壳： INT-A-Pak

供应商器件封装： INT-A-PAK

温度： -