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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-20ETS12STRR-M3_二极管整流器
VS-20ETS12STRR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

二极管整流器

+1:

¥17.603832

+200:

¥7.026235

+500:

¥6.796762

+800:

¥6.676562

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 20A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 20 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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VS-20ETS12STRR-M3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

二极管整流器

+8000:

¥13.60359

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 20A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 20 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

温度:

Mouser
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VS-20ETS12STRR-M3_未分类
VS-20ETS12STRR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

未分类

+8000:

¥18.153251

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 20A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 20 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

温度:

VS-20ETS12STRR-M3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 20A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 20 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -40°C # 150°C
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