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自营现货库存

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	VS-8EWF10S-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA 下载数据手册	+1：￥38.457625 +10：￥34.744475 +30：￥32.47415 +100：￥30.691837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 8A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 8 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 270 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-8EWF10S-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 8A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 8 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 270 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-8EWF10S-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥19.053689 +75：￥15.100019 +150：￥12.942524 +525：￥11.504699 +1050：￥9.850816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 8A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 8 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 270 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-8EWF10S-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥46.610371 +75：￥36.938649 +150：￥31.660844 +525：￥28.143542 +1050：￥24.097705	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 8A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 8 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 270 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-8EWF10S-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA 下载数据手册未分类	+1：￥53.28242 +10：￥33.566295 +100：￥29.329772 +250：￥28.189172 +500：￥27.048567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 8A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 8 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 270 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

VS-8EWF10S-M3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.3 V 8 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	270 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	100 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装:	D-PAK（TO-252AA）
工作温度 - 结:	-40°C # 150°C
温度: