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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UGE1112AY4_未分类
UGE1112AY4
授权代理品牌
+1:

¥1188.209485

+198:

¥474.101463

+498:

¥458.267849

+1002:

¥450.432997

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UGE1112AY4_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

二极管整流器

+1:

¥447.504665

+12:

¥405.574202

+102:

¥363.617983

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 8000 V

电流 - 平均整流 (Io): 4.2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 6.25 V 7 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA 8000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: UGE

供应商器件封装: UGE

工作温度 - 结: -

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UGE1112AY4_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

二极管整流器

+1:

¥1094.714986

+12:

¥992.141964

+102:

¥889.505934

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 8000 V

电流 - 平均整流 (Io): 4.2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 6.25 V 7 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA 8000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: UGE

供应商器件封装: UGE

工作温度 - 结: -

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UGE1112AY4_未分类
UGE1112AY4
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

未分类

+1:

¥1251.587033

+12:

¥1033.380029

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 8000 V

电流 - 平均整流 (Io): 4.2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 6.25 V 7 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA 8000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: UGE

供应商器件封装: UGE

工作温度 - 结: -

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UGE1112AY4_未分类
UGE1112AY4
授权代理品牌

Diode 8KV 4.2A 2-Pin UGE-Single

未分类

+6:

¥1207.198268

+10:

¥1195.187121

+25:

¥1183.175975

+50:

¥1171.320817

+100:

¥1159.621647

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

UGE1112AY4参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
二极管类型: Standard
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 8000 V
电流 - 平均整流 (Io): 4.2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 6.25 V 7 A
速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA 8000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: Chassis Mount
封装/外壳: UGE
供应商器件封装: UGE
工作温度 - 结: -
温度: