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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C065030B3_晶体管-FET,MOSFET-单个
+800:

¥153.237592

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: -

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 40A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 242W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

UF3C065030B3_晶体管-FET,MOSFET-单个
+1:

¥221.007788

+10:

¥203.085679

+100:

¥171.513646

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (D2Pak)

UF3C065030B3_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥221.007788

+10:

¥203.085679

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (D2Pak)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C065030B3_未分类
UF3C065030B3

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

未分类

+1:

¥255.11943

+25:

¥254.328607

+100:

¥220.006898

+250:

¥217.950759

+500:

¥217.476264

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: -

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 40A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 242W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

UF3C065030B3参数规格

属性 参数值
品牌: UnitedSiC
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: -
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 40A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 242W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D2Pak)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)