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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
UF3C120150K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥88.030654 +30：￥85.728279 +120：￥72.78894 +510：￥63.471456 +1020：￥58.812714	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.7 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
UF3C120150K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥97.5522 +10：￥88.117777 +30：￥85.81307 +120：￥72.860846 +510：￥63.534283	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.7 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
UF3C120150K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥110.567742 +10：￥99.925992 +120：￥82.686341 +510：￥67.941718 +1020：￥61.60985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.7 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C120150K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥116.376678 +10：￥105.143497 +100：￥87.046751 +500：￥75.798778 +1000：￥66.018282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.7 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C120150K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥137.673193 +10：￥124.422644 +120：￥102.956757 +510：￥89.573704 +1020：￥81.225859	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.7 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

UF3C120150K4S参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180毫欧 5A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25.7 nC 12 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	738 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	166.7W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-4
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
UF3C120150K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥88.030654 +30：￥85.728279 +120：￥72.78894 +510：￥63.471456 +1020：￥58.812714	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.7 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
UF3C120150K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥97.5522 +10：￥88.117777 +30：￥85.81307 +120：￥72.860846 +510：￥63.534283	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.7 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
UF3C120150K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥110.567742 +10：￥99.925992 +120：￥82.686341 +510：￥67.941718 +1020：￥61.60985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.7 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）