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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UT6K30TCR_射频晶体管
授权代理品牌

UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN

射频晶体管

+3000:

¥5.336072

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 153mOhm 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 30V

功率 - 最大值: 2W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-PowerUDFN

供应商器件封装: HUML2020L8

温度: 150°C(TJ)

UT6K30TCR_射频晶体管
授权代理品牌

UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN

射频晶体管

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¥12.356023

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¥11.009218

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¥10.448254

+100:

¥7.836191

+250:

¥7.76156

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerUDFN

供应商器件封装: HUML2020L8

UT6K30TCR_射频晶体管
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UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerUDFN

供应商器件封装: HUML2020L8

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UT6K30TCR_未分类
UT6K30TCR
授权代理品牌

UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN

未分类

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¥17.142896

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¥15.374185

+100:

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+500:

¥9.904785

+1000:

¥7.823147

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 153mOhm 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 30V

功率 - 最大值: 2W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-PowerUDFN

供应商器件封装: HUML2020L8

温度: 150°C(TJ)

UT6K30TCR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 153mOhm 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 30V
功率 - 最大值: 2W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-PowerUDFN
供应商器件封装: HUML2020L8
温度: 150°C(TJ)