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UM6K31NFHATCN_null
UM6K31NFHATCN
授权代理品牌

2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

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¥3.881376

+100:

¥2.200752

+1000:

¥1.346832

+3000:

¥1.018224

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 欧姆 250mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 15pF 25V

功率 - 最大值: 150mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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UM6K31NFHATCN_射频晶体管
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2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

射频晶体管

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¥3.250223

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¥2.457668

+100:

¥1.533022

+500:

¥1.049022

+1000:

¥0.806939

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 欧姆 250mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 15pF 25V

功率 - 最大值: 150mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C(TJ)

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UM6K31NFHATCN_射频晶体管
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2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

射频晶体管

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¥1.303954

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 欧姆 250mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 15pF 25V

功率 - 最大值: 150mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C(TJ)

UM6K31NFHATCN_射频晶体管
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2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

射频晶体管

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¥5.828653

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¥4.413124

+100:

¥2.752552

+500:

¥1.883489

+1000:

¥1.448837

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

UM6K31NFHATCN_射频晶体管
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2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

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¥5.828653

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¥1.883489

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

Mouser
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UM6K31NFHATCN_晶体管
UM6K31NFHATCN
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2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

晶体管

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¥7.822649

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¥5.804406

+100:

¥3.629711

+500:

¥2.550184

+1000:

¥1.971308

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 欧姆 250mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 15pF 25V

功率 - 最大值: 150mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C(TJ)

UM6K31NFHATCN参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 欧姆 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 15pF 25V
功率 - 最大值: 150mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: 150°C(TJ)