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US6K4TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

射频晶体管

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¥0.922032

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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US6K4TR_未分类
US6K4TR
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MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

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US6K4TR_射频晶体管
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漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

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功率 - 最大值: 1W

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安装类型: 表面贴装型

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US6K4TR
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MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

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漏源电压(Vdss): 20V

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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

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安装类型: 表面贴装型

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US6K4TR
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FET 功能: 逻辑电平门

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

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货期:7~10 天

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零件状态: 在售

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FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

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安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

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Mouser
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¥3.701619

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品牌: Rohm Semiconductor

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零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

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US6K4TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
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温度: 150°C(TJ)