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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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UPA2737GR-E1-AX | +1: ¥4.316272 +200: ¥1.671872 +500: ¥1.617236 +1000: ¥1.584454 |
UPA2737GR-E1-AX参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Renesas Electronics America Inc |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 13 毫欧 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 45 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1750 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOP |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | 150°C |