品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装： SOT-353

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装： SOT-353

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装： SOT-353

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装： SOT-353

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装： SOT-353

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装： SOT-353

温度：

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max： 150mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 68 @ 5mA, 5V

Frequency - Transition： 250MHz

Resistor - Base (R1)： 47kOhms, 10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms

Supplier Device Package： SOT-353

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max： 150mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 68 @ 5mA, 5V

Frequency - Transition： 250MHz

Resistor - Base (R1)： 47kOhms, 10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms

Supplier Device Package： SOT-353