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	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.328031 +10：￥0.315883 +100：￥0.286722 +500：￥0.272141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	三极管(晶体管) UMD2NTR SOT-363 下载数据手册晶体管-双极	+300：￥0.585792 +1500：￥0.390528 +3000：￥0.32544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

自营现货库存

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	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.308885 +100：￥0.2734 +300：￥0.25566 +3000：￥0.242354	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.213444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥0.343548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册	+1：￥2.101968 +100：￥1.191888 +1000：￥0.72936 +3000：￥0.551376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

自营国内现货

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	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.714609 +6000：￥0.674882 +15000：￥0.61536 +30000：￥0.575633 +75000：￥0.561789	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

Digi-Key

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	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.234842 +6000：￥1.166194 +15000：￥1.063339 +30000：￥0.994692 +75000：￥0.970769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：
	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.431682 +10：￥4.067983 +100：￥2.533244 +500：￥1.733053 +1000：￥1.333189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
	UMD2NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.431682 +10：￥4.067983 +100：￥2.533244 +500：￥1.733053 +1000：￥1.333189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

UMD2NTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	56 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	UMT6
温度: