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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC065007K4S United Chemi-Con(日本贵弥功) 授权代理品牌	UF3SC065007K4S United Silicon Carbide 下载数据手册未分类	+1：￥850.811414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	UF3SC065007K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥721.135939 +10：￥646.315421 +30：￥629.272756 +120：￥607.768436	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 214 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 789W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC065007K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥920.059592 +10：￥833.816374 +100：￥747.554603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 214 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 789W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC065007K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥1200.46898 +25：￥1140.524614 +100：￥1083.427209	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 214 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 789W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

UF3SC065007K4S参数规格

属性	参数值