锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 UF3C065030K3S2 条相关记录
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C065030K3S_晶体管-FET,MOSFET-单个
+1:

¥230.700816

+10:

¥211.992299

+100:

¥179.038259

+500:

¥159.266964

+1000:

¥149.780843

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 50A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 441W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C065030K3S_未分类
UF3C065030K3S

SICFET N-CH 650V 85A TO247-3

未分类

+1:

¥261.920506

+25:

¥261.446012

+100:

¥226.175316

+250:

¥204.506773

+600:

¥203.39962

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 50A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 441W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

UF3C065030K3S参数规格

属性 参数值
品牌: UnitedSiC
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 50A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 441W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)