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自营 国内现货
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UPA2816T1S-E2-AT_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥3.478739

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¥3.347963

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15.5 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.4 nC 10 V

Vgs(最大值): +20V,-25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-HWSON(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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UPA2816T1S-E2-AT_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.024453

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¥4.637957

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15.5 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.4 nC 10 V

Vgs(最大值): +20V,-25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-HWSON(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: 150°C(TJ)

Mouser
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UPA2816T1S-E2-AT_晶体管
UPA2816T1S-E2-AT

MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15.5 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.4 nC 10 V

Vgs(最大值): +20V,-25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-HWSON(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: 150°C(TJ)

UPA2816T1S-E2-AT参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15.5 毫欧 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.4 nC 10 V
Vgs(最大值): +20V,-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-HWSON(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: 150°C(TJ)