锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 UMD3NTR13 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD3NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

晶体管-双极

+1:

¥0.267652

+30:

¥0.258093

+100:

¥0.248534

+500:

¥0.229416

+1000:

¥0.219857

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD3NTR_未分类
UMD3NTR
授权代理品牌

数字晶体管 UMD3NTR SOT-363

未分类

+100:

¥0.580608

+1000:

¥0.387072

+3000:

¥0.32256

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD3NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

晶体管-双极

+10:

¥0.222149

+100:

¥0.195274

+300:

¥0.191033

+1000:

¥0.184665

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD3NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

晶体管-双极

+1:

¥0.201586

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD3NTR_晶体管-双极
UMD3NTR
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

晶体管-双极

+6:

¥0.219714

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMD3NTR_晶体管-双极
UMD3NTR
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

晶体管-双极

+1:

¥0.39424

+150:

¥0.279308

+1500:

¥0.234449

+3000:

¥0.201814

+18000:

¥0.198758

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMD3NTR_晶体管-双极
UMD3NTR
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

晶体管-双极

+3000:

¥0.204324

+6000:

¥0.200941

+9000:

¥0.197558

+12000:

¥0.194064

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD3NTR_null
UMD3NTR
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

+1:

¥3.083939

+100:

¥1.683772

+1500:

¥1.030472

+3000:

¥0.746105

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD3NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

晶体管-双极

+3000:

¥1.080444

+6000:

¥1.020463

+15000:

¥0.930436

+30000:

¥0.870341

+75000:

¥0.849424

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMD3NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

晶体管-双极

+1:

¥4.738276

+10:

¥3.559486

+100:

¥2.216588

+500:

¥1.51648

+1000:

¥1.166542

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

UMD3NTR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: