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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US5U35TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥3.058116

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 45 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 700mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.7 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 120 pF 10 V

FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TUMT5

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

温度: 150°C(TJ)

US5U35TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

供应商器件封装: TUMT5

US5U35TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
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工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

供应商器件封装: TUMT5

Mouser
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US5U35TR_晶体管
US5U35TR
授权代理品牌

MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5

晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 45 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 700mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.7 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 120 pF 10 V

FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TUMT5

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

温度: 150°C(TJ)

US5U35TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 700mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.7 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 120 pF 10 V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值): 1W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TUMT5
封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线
温度: 150°C(TJ)