![US1K-E3/61T_未分类]() | US1K-E3/61T | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 未分类 | | | 品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA） 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
![US1K-E3/61T_未分类]() | US1K-E3/61T | US1K-E3/61T GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) 未分类 | | | 暂无参数 |
 | US1K-E3/61T | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 二极管整流器 | | | 品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA） 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
| US1K-E3/61T | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 二极管整流器 | | | 品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA） 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
| US1K-E3/61T | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 二极管整流器 | | | 品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA） 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
| US1K-E3/61T | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 二极管整流器 | | | 品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA） 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
| US1K-E3/61T | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 二极管整流器 | | | 品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA） 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
| US1K-E3/61T | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 二极管整流器 | | | 品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA） 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
