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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STB40NS15T4 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	STB40NS15T4 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.28942 +50：￥8.146501 +500：￥7.860657 +5000：￥7.646276 +30000：￥7.146052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	STB40NS15T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
STB40NS15T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）
STB40NS15T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： MESH OVERLAY™ 工作温度： -65°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
STB40NS15T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： MESH OVERLAY™ 工作温度： -65°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

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	STB40NS15T4 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）

STB40NS15T4参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	MESH OVERLAY™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2420 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-65°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-65°C # 175°C（TJ）