SI4116DY-T1-E3厂家价格_数据手册

搜索 SI4116DY-T1-E3 共 6 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI4116DY-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 下载数据手册	+1：￥4.296645 +200：￥1.665613 +500：￥1.612568 +1000：￥1.580741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI4116DY-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.681073 +5000：￥3.346429 +12500：￥3.191979	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SI4116DY-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.360881 +5000：￥5.782619 +12500：￥5.515729	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
SI4116DY-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.703668 +10：￥13.122097 +25：￥12.454872 +100：￥9.341154 +250：￥9.252191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
SI4116DY-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI4116DY-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥20.040042 +10：￥17.848164 +100：￥13.887124 +500：￥11.476056 +1000：￥9.064988	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

SI4116DY-T1-E3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.6 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1925 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）