SISS05DN-T1-GE3厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SISS05DN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V PP 1212-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.991762 +6000：￥3.88808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29.4A（Ta），108A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 115 nC 10 V Vgs（最大值）： +16V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4930 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），65.7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SISS05DN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V PP 1212-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.897751 +6000：￥6.718589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29.4A（Ta），108A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 115 nC 10 V Vgs（最大值）： +16V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4930 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），65.7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 温度： -55°C # 150°C（TJ）
SISS05DN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V PP 1212-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.30995 +10：￥14.530682 +25：￥13.794263 +100：￥11.331708 +500：￥9.36117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® Gen IV 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S
SISS05DN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V PP 1212-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.30995 +10：￥14.530682 +25：￥13.794263 +100：￥11.331708 +500：￥9.36117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® Gen IV 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S

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	SISS05DN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V PP 1212-8 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29.4A（Ta），108A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 115 nC 10 V Vgs（最大值）： +16V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4930 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），65.7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 温度： -55°C # 150°C（TJ）

SISS05DN-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET® Gen IV
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	29.4A（Ta），108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	115 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+16V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4930 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	5W（Ta），65.7W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳:	PowerPAK® 1212-8S
温度:	-55°C # 150°C（TJ）