SQ4850EY-T1_GE3厂家价格_数据手册

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	SQ4850EY-T1_GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) SQ4850EY-T1_GE3 SO-8 下载数据手册未分类	+2500：￥8.60616 +5000：￥6.147216 +10000：￥6.147216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	SQ4850EY-T1_GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.99969 +10：￥1.945054 +30：￥1.912272 +100：￥1.890418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.8W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	SQ4850EY-T1_GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.86178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.8W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	SQ4850EY-T1_GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.269172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.8W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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SQ4850EY-T1_GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.377116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.8W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.258108 +10：￥14.508103 +100：￥11.311805 +500：￥9.344348 +1000：￥7.377116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.258108 +10：￥14.508103 +100：￥11.311805 +500：￥9.344348 +1000：￥7.377116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

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	SQ4850EY-T1_GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥20.534197 +10：￥18.339703 +100：￥14.405287 +500：￥11.959994 +1000：￥9.60875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.8W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

SQ4850EY-T1_GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6.8W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）