搜索 SQ4850EY-T1_GE3 共 8 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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SQ4850EY-T1_GE3 授权代理品牌 | 场效应管(MOSFET) SQ4850EY-T1_GE3 SO-8 | +2500: ¥8.60616 +5000: ¥6.147216 +10000: ¥6.147216 | 暂无参数 |
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SQ4850EY-T1_GE3 授权代理品牌 | +1: ¥4.86178 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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SQ4850EY-T1_GE3 授权代理品牌 | +1: ¥20.534197 +10: ¥18.339703 +100: ¥14.405287 +500: ¥11.959994 +1000: ¥9.60875 |
SQ4850EY-T1_GE3参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay Siliconix |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 22 毫欧 6A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1250 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 6.8W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |