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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
STH290N4F6-6AG_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥28.026922

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¥25.195062

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¥20.641833

+500:

¥17.571905

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¥14.819708

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7毫欧 45A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 115 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7380 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: H2PAK-6

封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
STH290N4F6-6AG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥22.683188

+2000:

¥22.352047

+5000:

¥20.365199

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7毫欧 45A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 115 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7380 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: H2PAK-6

封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

STH290N4F6-6AG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥43.863884

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¥39.40336

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¥37.255883

+100:

¥29.80273

+250:

¥28.147022

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

供应商器件封装: H2PAK-6

STH290N4F6-6AG_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

供应商器件封装: H2PAK-6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
STH290N4F6-6AG_未分类
STH290N4F6-6AG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

未分类

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¥60.272247

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¥54.285838

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¥51.292634

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¥44.489897

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7毫欧 45A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 115 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7380 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: H2PAK-6

封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

STH290N4F6-6AG参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7毫欧 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 115 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7380 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-6
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
温度: -55°C # 175°C(TJ)