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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
STD3LN80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

N-CHANNEL 800 V, 2.75 OHM TYP.,

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥10.000686

+10:

¥8.93728

+100:

¥6.969645

+500:

¥5.757345

+1000:

¥4.545287

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: MDmesh™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.25 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 102 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 45W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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STD3LN80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

N-CHANNEL 800 V, 2.75 OHM TYP.,

晶体管-FET,MOSFET-单个

+2500:

¥6.360881

+5000:

¥5.782619

+12500:

¥5.515729

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: MDmesh™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.25 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 102 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 45W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

STD3LN80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
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N-CHANNEL 800 V, 2.75 OHM TYP.,

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥14.703668

+10:

¥13.122097

+25:

¥12.454872

+100:

¥9.341154

+250:

¥9.252191

库存: 0

货期:7~10 天

系列: MDmesh™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

STD3LN80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
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N-CHANNEL 800 V, 2.75 OHM TYP.,

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: MDmesh™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

Mouser
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STD3LN80K5_晶体管
STD3LN80K5
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N-CHANNEL 800 V, 2.75 OHM TYP.,

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: MDmesh™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.25 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 102 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 45W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

STD3LN80K5参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: MDmesh™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.25 欧姆 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.63 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 102 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 45W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)