SI3429EDV-T1-GE3厂家价格_数据手册

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	SI3429EDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S 下载数据手册	+1：￥0.949078 +200：￥0.367282 +500：￥0.354374 +1000：￥0.347996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4085 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	SI3429EDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.897458 +6000：￥0.825881 +15000：￥0.743294 +30000：￥0.732282 +75000：￥0.688235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4085 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.550804 +6000：￥1.42712 +15000：￥1.284409 +30000：￥1.265381 +75000：￥1.189267	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4085 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.560211 +10：￥4.47288 +25：￥4.092316 +100：￥2.568817 +250：￥2.540399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP

Mouser

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	SI3429EDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4085 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

SI3429EDV-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Ta），8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	118 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4085 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	4.2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-TSOP
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）