SI3440ADV-T1-GE3厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI3440ADV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.872735 +10：￥8.801439 +30：￥8.26579 +100：￥7.740645 +500：￥7.415054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	SI3440ADV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.892174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SI3440ADV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.541674	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
SI3440ADV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.431682 +10：￥4.391573 +100：￥2.989738 +500：￥2.242476 +1000：￥1.681858	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP
SI3440ADV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.431682 +10：￥4.391573 +100：￥2.989738 +500：￥2.242476 +1000：￥1.681858	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI3440ADV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP 下载数据手册未分类	+1：￥6.227758 +10：￥5.048459 +100：￥3.431892 +500：￥2.570606 +1000：￥1.934579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI3440ADV-T1-GE3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.512914 +10：￥4.924243 +25：￥4.875754 +50：￥4.785154 +100：￥3.555052	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

SI3440ADV-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	380 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	80 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-TSOP
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）