搜索 SIHP100N60E-GE3 共 2 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +1： ￥64.498427 +10： ￥57.962092 +100： ￥47.494073 +500： ￥40.431371 +1000： ￥36.534281 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
SIHP100N60E-GE3 授权代理品牌 | +1： ￥78.36329 +10： ￥70.49549 +100： ￥57.592298 +500： ￥49.095073 +1000： ￥41.38463 |
SIHP100N60E-GE3参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 包装: | Tube |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | E |
| 零件状态: | Active |
| FET 类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100mOhm 13A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 50 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1851 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 208W (Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C (TJ) |