SI3493BDV-T1-GE3厂家价格_数据手册

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	SI3493BDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP 下载数据手册	+1：￥5.442417 +200：￥2.111191 +500：￥2.036928 +1000：￥1.994492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1805 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），2.97W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	SI3493BDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.602572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1805 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），2.97W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SI3493BDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.497236	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1805 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），2.97W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
SI3493BDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.612327 +10：￥10.233362 +100：￥7.846788 +500：￥6.20316 +1000：￥4.962576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP
SI3493BDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.612327 +10：￥10.233362 +100：￥7.846788 +500：￥6.20316 +1000：￥4.962576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SI3493BDV-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP 下载数据手册晶体管	+1：￥14.47775 +10：￥12.791332 +100：￥9.895781 +500：￥7.938899 +1000：￥6.363846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1805 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），2.97W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

SI3493BDV-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27.5 毫欧 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43.5 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1805 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.08W（Ta），2.97W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-TSOP
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）