STW7N95K3厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 STW7N95K3 共 3 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STW7N95K3 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.076176 +10：￥44.073337 +100：￥36.112741 +500：￥30.742196 +1000：￥25.927165	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1031 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STW7N95K3 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥84.803468 +10：￥76.158578 +100：￥62.402696 +500：￥53.122412 +1000：￥44.802053	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1031 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STW7N95K3 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥107.820677 +10：￥96.877682 +100：￥79.497634 +250：￥73.221506 +600：￥61.312952	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1031 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

STW7N95K3参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperMESH3™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.35 欧姆 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1031 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）