STD85N3LH5厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STD85N3LH5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.936096 +100：￥3.345696 +200：￥2.755296 +500：￥2.460096 +800：￥2.263248	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： STripFET™ V 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V Vgs（最大值）： ±22V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

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	STD85N3LH5 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	STD85N3LH5 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.555399 +150：￥2.457167 +2500：￥2.162261 +10000：￥2.122948 +17500：￥1.965691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	STD85N3LH5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： STripFET™ V 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V Vgs（最大值）： ±22V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
STD85N3LH5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： STripFET™ V 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V Vgs（最大值）： ±22V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）
STD85N3LH5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： STripFET™ V 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
STD85N3LH5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： STripFET™ V 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

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	STD85N3LH5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： STripFET™ V 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V Vgs（最大值）： ±22V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

STD85N3LH5参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	STripFET™ V
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 毫欧 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1850 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	70W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	175°C（TJ）