搜索 SIHH14N60E-T1-GE3 共 6 条相关记录
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +3000： ￥12.32845 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +3000： ￥21.30352 | ||||
| 授权代理品牌 | +1： ￥40.448696 | 系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerPAK® 8 x 8 | |||
| 授权代理品牌 | 1+: | 系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerPAK® 8 x 8 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
SIHH14N60E-T1-GE3 授权代理品牌 | +1： ￥55.128431 +10： ￥51.978235 +100： ￥51.348197 +1000： ￥45.992863 +3000： ￥29.139314 |
艾睿
SIHH14N60E-T1-GE3参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 255 毫欧 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 82 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1416 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 147W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® 8 x 8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |