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STB13N80K5

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

+1:

¥8.179539

+10:

¥7.988577

+30:

¥7.85066

+100:

¥7.723352

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperMESH5™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 870 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 190W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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STB13N80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥13.215257

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperMESH5™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 870 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 190W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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STB13N80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥30.143735

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¥27.096858

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¥22.200106

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¥18.89878

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¥15.938685

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperMESH5™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 870 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 190W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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STB13N80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥32.990327

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货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperMESH5™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 870 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 190W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

STB13N80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥54.98429

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¥49.349947

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¥40.436314

+500:

¥34.422882

库存: 0

货期:7~10 天

系列: SuperMESH5™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

STB13N80K5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥36.996066

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¥36.0024

+30:

¥35.339956

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¥34.663111

库存: 0

货期:7~10 天

系列: SuperMESH5™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

Mouser
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STB13N80K5_晶体管
STB13N80K5
授权代理品牌

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

晶体管

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¥72.468725

+10:

¥65.142216

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¥53.356094

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¥45.392498

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¥38.225261

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperMESH5™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 870 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 190W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

STB13N80K5参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: SuperMESH5™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 870 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 190W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)