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SI7804DN-T1-E3_null
SI7804DN-T1-E3
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MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

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¥4.296645

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¥1.665613

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¥1.612568

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¥1.580741

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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SI7804DN-T1-E3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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SI7804DN-T1-E3_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: TrenchFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8

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系列: TrenchFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8

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未分类

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货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

SI7804DN-T1-E3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.5 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8
温度: -55°C # 150°C(TJ)