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	STF15N80K5 ST(先科) 授权代理品牌	通孔 N 通道 800 V 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP 下载数据手册未分类	+1：￥23.238498	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	STF15N80K5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥49.696128 +100：￥42.24168 +200：￥34.787232 +300：￥31.06008 +500：￥28.575216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH5™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	STF15N80K5 STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥24.236685 +10：￥21.155195 +30：￥19.330341	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH5™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	STF15N80K5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.233676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH5™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	STF15N80K5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.775708 +100：￥17.661885 +1000：￥16.974256 +15000：￥16.846917 +30000：￥16.719578	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH5™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	STF15N80K5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥19.711344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH5™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	STF15N80K5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3：￥29.519424 +100：￥26.364096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH5™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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Digi-Key

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	STF15N80K5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥52.624465 +50：￥41.742922 +100：￥35.779648 +500：￥31.803882 +1000：￥27.232038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH5™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	STF15N80K5 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥66.907703 +10：￥56.284917 +25：￥38.527421 +100：￥37.100482 +250：￥36.624834	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMESH5™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

STF15N80K5参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperMESH5™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	375 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	32 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1100 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	35W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）