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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SQJA42EP-T1_GE3_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.565749

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¥4.393968

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.4 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 27W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® SO-8

封装/外壳: PowerPAK® SO-8

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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SQJA42EP-T1_GE3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥7.804313

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.4 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 27W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® SO-8

封装/外壳: PowerPAK® SO-8

温度: -55°C # 175°C(TJ)

SQJA42EP-T1_GE3_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

系列: TrenchFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: PowerPAK® SO-8

供应商器件封装: PowerPAK® SO-8

SQJA42EP-T1_GE3_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

系列: TrenchFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: PowerPAK® SO-8

供应商器件封装: PowerPAK® SO-8

Mouser
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SQJA42EP-T1_GE3_晶体管
SQJA42EP-T1_GE3
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MOSFET N-CH AUTO 40V PP SO-8

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.4 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 27W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® SO-8

封装/外壳: PowerPAK® SO-8

温度: -55°C # 175°C(TJ)

SQJA42EP-T1_GE3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.4 毫欧 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 27W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
温度: -55°C # 175°C(TJ)