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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP105N3LL ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.880032 +100：￥5.847984 +200：￥4.81608 +300：￥4.299984 +500：￥3.955968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： DeepGATE™, STripFET™ VI 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 175°C（TJ）

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	STP105N3LL ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.118654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： DeepGATE™, STripFET™ VI 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
STP105N3LL JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	STP105N3LL JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.602908 +150：￥1.574978 +500：￥1.533134 +10600：￥1.505309 +15150：￥1.40771	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
STP105N3LL VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	STP105N3LL VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.019893 +1000：￥2.671444 +3000：￥2.624962 +5000：￥2.555294 +7000：￥2.508812	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
STP105N3LL STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： DeepGATE™, STripFET™ VI 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 175°C（TJ）
STP105N3LL STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220 下载数据手册未分类	+10：￥2.337118 +100：￥2.106505 +500：￥2.027456 +1000：￥1.951358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： DeepGATE™, STripFET™ VI 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP105N3LL ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.031938 +10：￥8.975241 +100：￥6.996942 +500：￥5.780002 +1000：￥4.563128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： DeepGATE™, STripFET™ VI 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP105N3LL ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.335156 +10：￥15.509186 +100：￥12.090694 +500：￥9.987823 +1000：￥7.88507	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： DeepGATE™, STripFET™ VI 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP105N3LL ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220 下载数据手册	+1：￥20.008327 +10：￥17.888239 +100：￥13.913076 +500：￥11.461724 +1000：￥9.248883	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： DeepGATE™, STripFET™ VI 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP105N3LL 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+2000：￥7.369138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

STP105N3LL参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 毫欧 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	42 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	175°C（TJ）