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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP160N75F3 STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.950989 +10：￥65.737714 +30：￥60.727826 +100：￥56.526662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： STripFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP160N75F3 STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 下载数据手册未分类	+1000：￥61.780552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： STripFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	STP160N75F3 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	STP160N75F3 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥5.494134 +1000：￥5.136832 +3000：￥5.00287 +5000：￥4.868802 +6000：￥4.690151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP160N75F3 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： STripFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP160N75F3 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： STripFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	STP160N75F3 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： STripFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP160N75F3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥50.406321	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	STP160N75F3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥31.435794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	STP160N75F3 ST(意法半导体) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+24：￥28.649462	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

STP160N75F3参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	STripFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	85 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6750 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	330W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）