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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SPU08P06P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SIPMOS®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.83A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC 10 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W(Tc)

工作温度: -

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -

Digi-Key
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SPU08P06P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SIPMOS®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.83A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC 10 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W(Tc)

工作温度: -

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -

SPU08P06P参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: SIPMOS®
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.83A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 6.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC 10 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 42W(Tc)
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO251-3
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
温度: -