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STT2PF60L_未分类
STT2PF60L
授权代理品牌
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国内:1~2 天

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自营 国内现货
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STT2PF60L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: STripFET™ II

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 313 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-6

封装/外壳: SOT-23-6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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STT2PF60L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: STripFET™ II

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 313 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-6

封装/外壳: SOT-23-6

温度: 150°C(TJ)

STT2PF60L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: STripFET™ II

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-23-6

STT2PF60L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: STripFET™ II

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-23-6

STT2PF60L参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: STripFET™ II
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7 nC 10 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 313 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-6
封装/外壳: SOT-23-6
温度: 150°C(TJ)