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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SKI10195_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥7.345656

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Sanken

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.8 毫欧 23.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 55.8 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3990 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 116W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: 150°C(TJ)

SKI10195_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263

SKI10195_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263

SKI10195参数规格

属性 参数值
品牌: Sanken
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.8 毫欧 23.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 55.8 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3990 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 116W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: 150°C(TJ)